Regular/Temporary : Regular
Position description :
POURQUOI NOUS REJOINDRE
Chez ST, nous sommes 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques.
Nous collaborons avec 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable.
Nos technologies de pointe permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie, de la puissance et un déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G. ST a reçu les certifications Top Employer France et happy trainees 2023, elles nous reconnaissent en tant qu’employeur de référence et démontrent notre engagement à faire de l’humain une priorité.
Le sous-groupe RF et Communication (RFC) est une organisation majeure de STMicroelectronics qui développe des solutions innovantes pour servir le marché mondial et à forte croissance des communications et de la connectivité.
En rejoignant ST et nos équipes à la pointe de leur domaine, vous contribuerez au développement de nos futurs produits différenciateurs utilisant les technologies les plus avancées.
NOTRE FUTURE COLLABORATION
Dans un contexte de forte croissance du marché 5G et mmW dans lequel ST développe des solutions pour des clients de renommée mondiale, vous intégrerez l’équipe « architecture système », composée de 12 personnes et intégrée au sein du sous-groupe RF & Communications.
Nous développons notre portefeuille d’étages de puissance pour stations de base 5G en s’appuyant sur ses process BiCMOS et GaN sur silicium, dans le but de devenir un fournisseur majeur des fabricants d’équipements pour stations de base 5G.
Dans ce contexte, nous recherchons un architecte expérimenté pour les étages de puissance des stations de base 5G. Vous apporterez votre expérience et vos connaissances sur
le marché et l’écosystème
les exigences techniques
partitionnement et packaging
la linéarisation et le charge-trapping
Plus en détail, les tâches couvriront, entre autres
Interface technique avec les clients
Suivre les évolutions des normes 3GPP dans le domaine de l’infrastructure frontale RF cellulaire afin de comprendre les tendances des exigences ayant un impact sur les performances RF FE.
Traduire en architectures innovantes de circuits RF/numériques construits autour des process GaN-sur-silicium et silicium de ST.
Sensibiliser à la concurrence sur la base d’une analyse comparative des performances. Connaître parfaitement les avantages et les inconvénients techniques des concurrents.
Consolider les exigences PAM en fonction de la capacité de la plate-forme de linéarisationExigences relatives à la gamme de PA
Exigences en matière d’auto-biasing
Évaluer et vérifier les performances des produits par rapport aux exigences des clients
Mener des études sur les architectures d’amplificateurs de puissance avancés pour améliorer l’efficacité, la bande passante et la linéarisation en tirant pleinement parti des process de ST et fournir aux équipes de conception des directives complètes et des formes d’ondes de référence associées.
Traduire les exigences des clients en matière d’amplificateurs de puissance en exigences de transistors et s’aligner sur l’équipe de développement interne pour s’assurer que nous développerons les bons produits.
Travailler en étroite collaboration avec les équipes d’ingénierie de conception/validation/test à tous les stades du processus de développement.
Développer une documentation matérielle et de support spécifique à l’application.
Connaissances et compétences spécifiques requises
GaN et conception de la propriété intellectuelle associée
BiCMOS et conception IP associée
Technologies de packaging pour le PAM
Outils de modélisation (Matlab, SystemVue)
Plateformes de test pour le PAM et tous les équipements de laboratoire associés
VOTRE LIEU DE TRAVAIL :
La localisation préférée est Grenoble, mais il est possible d’être localisé dans notre bureau de Saint Germain-en-Laye (avec des déplacements réguliers à Grenoble) si cela convient mieux.
Education level required : 5 – Master degree
Language / Level :
English : 3- Advanced
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