2022-19253 – ALTERNANCE – Ingénieur.e développement procédés épitaxie M/F

  • CDI
  • N’importe où
  • Publié il y a 4 mois

Regular/Temporary : Temporary
Position description :
Afin de répondre aux futurs usages, notamment dans le développement des futures technologies (capteurs d’images, Bipolaires), des épitaxies de grande qualité sont nécessaires. Les moyens actuels, ne permettent pas de déterminer la qualité cristalline d’une épitaxie ou d’un substrat.
Vous intégrerez l’équipe « Epitaxy Process Development » et l’équipe « Defectivity Process » au sein du groupe R&D Traitement Thermique 300 mm et du groupe Cr300 Defectivity Process & Support de STMicroelectronics Crolles. Vous travaillerez sur la décoration de défauts. Cette dernière se fera de 2 façons : par croissance ou gravure du silicium dans un bâti d’épitaxie. Vous devrez finaliser le développement du procédé de décoration. Une fois celui-ci réalisé, vous développerez une technique de caractérisation sur des machines de défectivité permettant d’observer et compter les défauts.

Cette alternance sera pour vous l’occasion d’acquérir des compétences en épitaxie et en défectivité. Vous serez capable d’utiliser un bâti d’épitaxie pour réaliser des épitaxies silicium (Si) et Silicium-Germanium (SiGe). Vous serez aussi capable d’utiliser des machines de caractérisations permettant de compter des particules de quelques dizaines de nanomètre sur une plaquette 300 mm.

Titulaire d’une licence, vous avez idéalement des connaissances en semi-conducteur, physique des matériaux et une maitrise correcte de l’anglais technique
Vous êtes dynamique, organisé, avec un bon relationnel et aimez travailler en groupe
Idéalement nous recherchons une alternance de deux ans ou d’un an le cas échéant
Education level required : 4 – Bachelor degree
Language / Level :
French : 3- Advanced
Language / Level :
English : 1- Basic
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